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BC848C	文件：144.84 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC848C	文件：2.06563 Mbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC848C	文件：439.15 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
BC848C	文件：439.1 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
BC848C	文件：842.95 Kbytes Page：4 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion FEATURE Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC848C	文件：1.84399 Mbytes Page：13 Pages	NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC848CDW	文件：201.5 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNDuals GeneralPurposeTransistor NPNDuals	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC848CDW	文件：929.83 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors NPNDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC848CDW	文件：2.41026 Mbytes Page：15 Pages	NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC848CF	文件：51.75 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI

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产品属性

产品编号：
BC848BW RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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