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BC848C	文件：371.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •310mWPowerDissipation •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC848C	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848C	文件：105.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistor310mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:0.225W(Tamb=25°C)(Note1) •CollectorCurrent:0.1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848C	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC848C	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC848C	文件：277.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC848C	文件：126.96 Kbytes Page：3 Pages	0.2WattsNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ♦Epitaxialplanardieconstruction ♦Surfacedevicetypemounting ♦Moisturesensitivitylevel1 ♦MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ♦PbfreeversionandRoHScompliant ♦Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondat	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC848C	文件：202.39 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES •Highcurrentgain. •ExcellenthFElinearity. •Lownoisebetween30Hzand15kHz. •ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC848C	文件：504.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC848C	文件：164.92 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON

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