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BC847S	文件：42.39 Kbytes Page：1 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847S	文件：587.76 Kbytes Page：3 Pages	DualGeneralPurposeTransistor DualGeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847S	文件：852.17 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847S	文件：284.94 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847S	文件：2.75261 Mbytes Page：2 Pages	Multi-chiptransistor(NPN) Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC847S	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847S	文件：171.09 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：165.04 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeDualNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：171.97 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	BC847CWQ-7-F	Diodes Inc	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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