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BC847PN	文件：59.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray NPN/PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstageanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP transistorinonepackage •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847PN	文件：221.68 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847PN	文件：128.1 Kbytes Page：2 Pages	ComplementarySurfaceMountGeneralPurposeSi-PlanarTransistors Features TwocomplementarytransistorsinonepackageGeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847PN	文件：699.05 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor FEATURE •EpitaxialDieConstruction •TwointernalisolatedNPN/PNPtransistorsinonepackage •PowerDissipation PCM:0.2W(Temp.=25˚C) •CollectorCurrent ICM:0.1A •Collector-baseVoltage V(BR)CBO:50/-50V •Operating&StorageJunctionTemperature TJ,TSTG:	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847PN	文件：94.97 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinonepackage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847PN	文件：320.21 Kbytes Page：5 Pages	PNPandNPNSmallSignalTransistor200mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponr	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847PN	文件：229.97 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) NPN/PNPSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPTransistorsinonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC847PN	文件：268.65 Kbytes Page：4 Pages	SmallSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●TwointernalisolatedNPN/PNPTransistors Inonepackage. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Idealforlowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847PN	文件：298.12 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features ●EpitaxialDieConstruction ●TwointernalisolatedNPN/PNPTransistorsin onepackage ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage MechanicalData ●Case:SOT-363,MoldedPlastic ●Casematerial-ULFlammabilityRating Classification94V-0 ●Moisturesensitivity:Level1perJ-ST	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BC847PN	文件：2.03772 Mbytes Page：6 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNPNP) DUALTRANSISTOR(NPN+PNP) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●TwoisolatedNPN/PNP(BC847W+BC857W)Transistorsinonepackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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