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BC847S	文件：284.94 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847S	文件：2.75261 Mbytes Page：2 Pages	Multi-chiptransistor(NPN) Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC847S	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847S	文件：171.09 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
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BC847S	文件：171.97 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

产品属性

产品编号：
BC847CW-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC847xW-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

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