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BC847RA	文件：240.38 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847RAPN	文件：264.95 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPN/PNPgeneral-purposedoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847S	文件：51.51 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：57.7 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC847S	文件：156.12 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC847S	文件：1.98179 Mbytes Page：6 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BC847S	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：42.39 Kbytes Page：1 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847S	文件：587.76 Kbytes Page：3 Pages	DualGeneralPurposeTransistor DualGeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

产品属性

产品编号：
BC847CW-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC847xW-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

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