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BC847CDXV6T1H中文资料TRANSISTOR NPN BIPOLAR SOT563数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BC847CDXV6T1H

功能描述

TRANSISTOR NPN BIPOLAR SOT563

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:47:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BC847CDXV6T1H

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :45V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :600mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :15nA(ICBO)

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :420 @ 2mA,5V

  • 功率 - 最大值

    :500mW

  • 频率 - 跃迁

    :100MHz

  • 工作温度

    :-

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装

    :SOT-563-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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