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BC847BTQ中文资料NPN, 45V, 0.1A, SOT523数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BC847BTQ

参数属性

BC847BTQ 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT52

功能描述

NPN, 45V, 0.1A, SOT523
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT52

封装外壳

SOT-523

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:20:00

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BC847BTQ规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

•BVCEO > 45V
•C = 100mA Collector Current
•Epitaxial Planar Die Construction
•Ultra-Small Surface Mount Package
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device 
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
•PPAP Capable

简介

BC847BTQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC847BTQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BC847BTQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :Small Signal Transistor

  • IC

    :0.1 A

  • ICM

    :0.2 A

  • PD

    :0.15 W

  • hFE

    :200 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.002 A

  • hFE (Min 2)

    :-

  • hFE (@ IC2)

    :- A

  • VCE (SAT) Max

    :250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.01/0.5

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :600 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :0.1/5

  • fT

    :100 MHz

  • RCE(SAT)

    :- mΩ

  • Packages

    :SOT523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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