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BC847CDW1T1G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

BC847CDW1T1G

功能描述

NPN Duals General Purpose Transistor

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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BC847CDW1T1G规格书详情

描述 Description

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

技术参数

  • 型号:

    BC847CDW1T1G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
SOT-363
90000
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