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BC847CDXV6T1H

TRANSISTOR NPN BIPOLAR SOT563

ONSEMI

安森美半导体

SBC847CDXV6T1G

Dual General Purpose Transistors

文件:138.67 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC847CDXV6T1

Dual General Purpose Transistors

Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. • Lead-Free Solder Plating

文件:64.97 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC847CDXV6T1

Dual General Purpose Transistors

文件:102.11 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC847CDXV6T1D

Dual General Purpose Transistors

文件:102.11 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    45V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-563-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BC847CDXV6T1H供应商 更新时间2025-10-4 23:00:00