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BC847BS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847BS	文件：601.62 Kbytes Page：2 Pages	IdeallySuitedforAutomaticInsertionforSwitchingandAFAmplifierApllication Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC847BS	文件：92.55 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor	ETC	ETC
BC847BS	文件：239.26 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BS	文件：1.23686 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC847BS-AU	文件：239.8 Kbytes Page：7 Pages	NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISTOR VOLTAGE45VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847BSH	文件：235.66 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSH-Q	文件：236.83 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BSLASHDG	文件：96.95 Kbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinsmallplasticpackages. Features ■Lowcurrent ■Lowvoltage ■Threedifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification	ETC	ETC
BC847BSQ	文件：350.46 Kbytes Page：5 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForswitchingandAFAmplifierApplication •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •TheBC847BSQissuitableforautomoti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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