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BC847	文件：228.34 Kbytes Page：3 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForswitchingandAFamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC847AQB	文件：241.29 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847AQB	文件：245.13 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847AQB-Q	文件：241.47 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847AQB-Q	文件：245.2 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847AQC	文件：232.25 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847AQC-Q	文件：260.399 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847ARF	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC847ARFG	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC847AS	文件：140.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45/65VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC847AS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847AT	文件：358.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC847AT	文件：131.51 Kbytes Page：18 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847AT	文件：104.72 Kbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC847AT	文件：169.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847AT	文件：237.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC847AT	文件：1.29417 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847AT	文件：195.95 Kbytes Page：3 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●ForswitchingandAFamplifierapplication. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847AT	文件：84.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857AT,BT,CT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC847AT	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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产品属性

产品编号：
BC847AQAZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1010D-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC847AQAZ供应商更新时间2024-6-7 10:50:00

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