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BC846XW_SER	文件：219.62 Kbytes Page：11 Pages	65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackage •Twodifferentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846XW-Q_SER	文件：220.09 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors 1.Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC PNPcomplement BC846W-QBC856W-Q BC846AW-QBC856AW-Q BC846BW-Q SOT323SC-70 BC856BW-Q 2.Fe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM846BS	文件：687.56 Kbytes Page：12 Pages	NPN/NPNmatcheddoubletransistor Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorinaverysmallSOT363(TSSOP6)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandardd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM846BS	文件：151.12 Kbytes Page：2 Pages	SMDMatchedNPNTransistors Features TwotransistorsinonepackagewithmatchedcurrentgainandBase-Emittervoltage ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications CurrentmirrorsDifferentialamplifiersCommercialgrade Suffix-Q:AEC-Q101compliant1) Suffix-AQ:inAEC-Q101	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BCM846BS	文件：331.68 Kbytes Page：5 Pages	65VNPNMATCHEDPAIRSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT363 Features Ultra-SmallSurfaceMountPackage CurrentGainMatching Base-EmitterVoltageMatching IdeallySuitedforAutomatedInsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplication TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCM846BSH	文件：237.53 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM846BSH-Q	文件：238.68 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM846BS-Q	文件：237.25 Kbytes Page：9 Pages	NPN/NPNmatcheddoubletransistor 1.Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorinaverysmallSOT363(TSSOP6)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementfors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM846S	文件：184.08 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArray •Precisionmatchedtransistorpair:∆IC≤10 •Forcurrentmirrorapplications •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistors •Complementarytype:BCM856S •BCM846S:Fororientationinreelsee packageinformati	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCM846S	文件：91.07 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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