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BC846BQC	文件：241.5 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •Highvoltage(max.65V) •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846BQC	文件：235.89 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846BQC-Q	文件：249.37 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •Highvoltage(max.65V) •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecomme	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846BQC-Q	文件：236.46 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846BRF	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846BRFG	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846BS	文件：106.12 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC846BS	文件：140.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45/65VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC846BS	文件：343.41 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor200mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ForSwitchingandAFAmplifierAp	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC846BS	文件：372.83 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
BC846BMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC846BMTF供应商更新时间2025-5-25 9:38:00

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