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BC846BRFG	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW, NPN Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846BS	文件：140.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45/65VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC846BS	文件：343.41 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor200mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ForSwitchingandAFAmplifierAp	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC846BS	文件：372.83 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC846BS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC846BS	文件：695.99 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Highcurrentgain. ●ExcellenthFElinearity. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC846BS	文件：246.86 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846BSH	文件：235.65 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846BSH	文件：457.97 Kbytes Page：5 Pages	200mW,DualNPNSmallSignalTransistor FEATURES AEC-Q101qualified General-purposetransistors Idealforautomatedplacement Moisturesensitivitylevel:level1,perJ-STD-020 RoHSCompliant Halogen-free APPLICATIONS Generalswitchingandamplification	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC846BSH-Q	文件：236.82 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mANPN/NPNgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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