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BC846BMTF	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	Marking：8AB；Package：SOT-23；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC846BMTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC846BMTF_11	文件：142.4 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC846BP	文件：148.29 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC846BP	文件：130.03 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC846BPDW	文件：517.59 Kbytes Page：9 Pages	NPN/PNPDualGeneralPurposeTransistors	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC846BPDW	文件：1.00416 Mbytes Page：9 Pages	Pb?묯reePackageisAvailable	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC846BPDW	文件：987.1 Kbytes Page：11 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPN/PNPDUAL(COMPLIMENTARY) DESCRIPTION Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.TheBC846BPDW~BC848CPDWisavailableinSC–88	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC846BPN	文件：137.04 Kbytes Page：15 Pages	65V,100mANPN/PNPgeneral-purposetransistor Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposetransistorpairinaverysmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollectorcapacitance ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Closelymatchedcurrentgain ■Reducesnumberofcomponentsandboardspac	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC846BPN	文件：600.17 Kbytes Page：5 Pages	PNPandNPNSmallSignalTransistor200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
BC846BMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

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