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BC847,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BC847A	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847A	文件：60.27 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypes:BC856–BC858 •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC847A	文件：371.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •310mWPowerDissipation •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC847A	文件：394.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847A	文件：273.96 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistors Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856,BC857,BC859,BC860(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC847A	文件：80.39 Kbytes Page：10 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847A	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating −HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC847A	文件：105.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistor310mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:0.225W(Tamb=25°C)(Note1) •CollectorCurrent:0.1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC847A	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
BC847,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC847,235供应商更新时间2025-7-5 15:38:00

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