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BC817-25RFG	文件：255.28 Kbytes Page：4 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-25-TP	文件：482.81 Kbytes Page：7 Pages	EvaluationBoardfor15WDual-OutputSwitch-ModePowerSupply	DialogDialog Semiconductor 戴乐格	Dialog
BC817-25W	文件：158.87 Kbytes Page：6 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-25W	文件：365.13 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors Features •Capableof0.2WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •ThermalResistanceFromJunctionToAmbient:625OC/W •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55OCto+150OC •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformati	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC817-25W	文件：263.39 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC817-25W	文件：864.72 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817-25W	文件：364.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypes:BC807-xxW •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC817-25W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817-25W	文件：90.07 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistor •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC817-25W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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