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BC817-25W	文件：364.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypes:BC807-xxW •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC817-25W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817-25W	文件：90.07 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistor •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC817-25W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC817-25W	文件：319.45 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W	文件：316.5 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNgeneralpurposetransistor FEATURES ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC817-25WH	文件：466.84 Kbytes Page：5 Pages	200mW,NPNSmallSignalTransistor FEATURES AEC-Q101qualified Highcurrent Lowpowerloss,highefficiency Idealforautomatedplacement Moisturesensitivitylevel:level1,perJ-STD-020 RoHSCompliant Halogen-free APPLICATIONS Generalswitchingandamplification	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-25W-Q	文件：310.97 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W-Q	文件：308.26 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC817-25QAZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1010D-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A DFN1010D-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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