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BC817-25W	文件：364.41 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypes:BC807-xxW •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC817-25W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817-25W	文件：90.07 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistor •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC817-25W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC817-25W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNgeneralpurposetransistor FEATURES ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC817-25W	文件：319.45 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W	文件：316.5 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W-Q	文件：310.97 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25W-Q	文件：308.26 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-25WRF	文件：576.91 Kbytes Page：4 Pages	200mW,NPNSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	BC817-25-QR	NEXPERIA	23+	原厂原封	24000	订货1周原装正品	询价
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更多BC817-25-Q供应商更新时间2025-5-28 17:01:00

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