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BC807-16LZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807-16	文件：47.32 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC817. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC807-16	文件：303.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features 310mWPowerDissipation IdeallySuitedforAutomaticInsertion EpitaxialPlanarDieConstruction ForSwitching,AFDriverandAmplifier Applications ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817)	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC807-16	文件：131.99 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrentHighcurrentgain) ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC817,BC818(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC807-16	文件：72.5 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC817/BC818	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC807-16	文件：59.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817) ●ForswitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC807-16	文件：303.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features 310mWPowerDissipation IdeallySuitedforAutomaticInsertion EpitaxialPlanarDieConstruction ForSwitching,AFDriverandAmplifierApplications ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817)	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BC807-16	文件：214.65 Kbytes Page：7 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC817/BC818	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC807-16	文件：322.28 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC807-16	文件：311.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817) ●ForswitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC807-16	文件：481.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45Volts POWER225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=500mA •Pbfreeproductareavailable:99Snabovecanmeet RoHSenvironmentsubstancedirectiverequest MECHANICALDATA Case:SOT-2	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807-16	文件：410.78 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion. ComplementaryNPNtypeavailableBC817 Epitaxialplanardieconstruction. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcurrentsto1.0A.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC807-16	文件：343.5 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC807-16	文件：111.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC807-16	文件：274.99 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ·Ldeallysuitedforautomaticinsertion ·epitaxialplanardieconstruction ·complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC807-16	文件：110.56 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807-16	文件：424.78 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion Epitaxialplanardieconstruction ComplementarytoBC817(NPNType) MARKING BC807-16:5A; BC807-25:5B; BC807-40:5C	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC807-16	文件：340.11 Kbytes Page：2 Pages	0.3Walts,PNPPlastic-EncasulateTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807-16	文件：201.82 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistors Features •Capableof0.3WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •Collector-baseVoltage50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55OCto+150OC •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC807-16	文件：175.59 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation310mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec

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产品属性

产品编号：
BC807-16LZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BC807-16LZ	Nexperia(安世)	23+	SOT-23(TO-236)	22057	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳兆威电子有限公司	BC807-16LZ	Nexperia/安世	22+	SOT23	900000	原厂原装正品现货	询价
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更多BC807-16LZ供应商更新时间2024-5-24 17:47:00

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