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FDC637AN	文件：1.03816 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDC637BNZ	文件：403.14 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench짰MOSFET20V,6.2A,24m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC637BNZ	文件：1.037819 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDC637BNZ	文件：461.08 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench®MOSFET20V,6.2A,24mΩ Features MaxrDS(on)=24mΩatVGS=4.5V,ID=6.2A MaxrDS(on)=32mΩatVGS=2.5V,ID=5.2A Fastswitchingspeed Lowgatecharge(8nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) SuperSOT™–6package:smallfootprint(72%smallerthanstandardSO-8;low	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FTP-637MCL	文件：207.24 Kbytes Page：3 Pages	THERMO-SENSITIVEPAPER	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
GWU637	文件：151.59 Kbytes Page：3 Pages	UniversalWi-FiNTransmitter-EthernettoWi-FiN300Mbps	IOGEAR iogear	IOGEAR
HC-637M	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HMC637	文件：609.88 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMESFETMMIC1WATTPOWERAMPLIFIER,DC-6GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC637	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC637A	文件：374.36 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMIC1WATTPOWERAMPLIFIER	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
BC637TA
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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