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BC556BG	文件：87.24 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC556BTA	文件：49.19 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556BTA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556BTA	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556BTF	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556BTF	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556BTFR	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556BTFR	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC556C	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC556C	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC556C	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC556XBK	文件：87.37 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BF556A	文件：100.6 Kbytes Page：11 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage. APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesand infra-reddetectors •VHFamplifiersinos	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF556A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF556B	文件：100.6 Kbytes Page：11 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage. APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesand infra-reddetectors •VHFamplifiersinos	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF556B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF556C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF556C	文件：100.6 Kbytes Page：11 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage. APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesand infra-reddetectors •VHFamplifiersinos	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS-A556RD	文件：74.15 Kbytes Page：1 Pages	0.56(14.20MM)singleDIGITLEDDISPLAY	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BS-A556RD	文件：193.23 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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产品属性

产品编号：
BC556ABU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BC556ABU	onsemi(安森美)	23+	TO-92-3	1612	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	BC556ABU	ON/安森美	24+	SMD	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	BC556ABU	FAI			20000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	BC556ABU	FAI	23+		540	原装现货,欢迎咨询	询价
深圳市达恩科技有限公司	BC556ABU	FairchildSemiconductor	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	BC556ABU	安森美	21+		12588	原装现货,价格优势	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	BC556ABU	原厂	2020+		10000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市纳立科技有限公司	BC556ABU		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市正迈科技有限公司	BC556ABU	FSC/ON	23+	原包装原封 □□	14509	原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询库存	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	BC556ABU	ON	20+	SMD	11520	特价全新原装公司现货	询价

更多BC556ABU供应商更新时间2024-5-21 18:26:00

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