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BSP550	文件：65.349 Kbytes Page：7 Pages	MiniPROFET(High-sideswitchShort-circuitprotectionInputprotectionOvertemperatureprotectionwithhysteresis) MiniPROFET •High-sideswitch •Short-circuitprotection •Inputprotection •Overtemperatureprotectionwithhysteresis •Overloadprotection •Overvoltageprotection •Switchinginductiveload •Clampofnegativeoutputvoltagewithinductiveloads •Undervoltageshutd	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP550	文件：76.97 Kbytes Page：7 Pages	MiniPROFET(High-sideswitchShort-circuitprotectionInputprotectionOvertemperatureprotectionwithhysteresis) MiniPROFET •High-sideswitch •Short-circuitprotection •Inputprotection •Overtemperatureprotectionwithhysteresis •Overloadprotection •Overvoltageprotection •Switchinginductiveload •Clampofnegativeoutputvoltagewithinductiveloads •Undervoltageshutd	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS550	文件：289.81 Kbytes Page：15 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS550P	文件：151.72 Kbytes Page：15 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch(OverloadprotectionCurrentlimitationShortcircuitprotectionOvertemperatureprotection) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,currentcontrolledinputanddiagnosticfeedbackwithloadcurrentsense,integratedinSmartSIPMOS®chiponchiptechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentl	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS550P	文件：279.12 Kbytes Page：15 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,currentcontrolledinputanddiagnosticfeedbackwithloadcurrentsense,integratedinSmartSIPMOS®chiponchiptechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUF550	文件：269.37 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·Noisefigure(NFTyp)=1.8dB ·9GHzfTsilicontechnology APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BY550	文件：16.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent *Lowforwardvoltagedrop	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BY550	文件：179.43 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifiers SiliconRectifiers •NominalcurrentñNennstrom5A •Repetitivepeakreversevoltage50...1000V •Plasticcaseÿ5.4x7.5[mm] •Weightapprox.ñGewichtca.1.4g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopackseepage16	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BY550	文件：138.16 Kbytes Page：2 Pages	5.0AMP.SILICONRECTIFIERS FEATURES: Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
BY550-XX	文件：53.37 Kbytes Page：4 Pages	5.0ASTANDARDDIODE DiffusedJunction LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability HighReliability HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

产品属性

产品编号：
BC550CG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BC550CG	ONS	24+		30000		询价
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