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BF550	文件：273.07 Kbytes Page：7 Pages	nullPNPmediumfrequencytransistor FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFU550X	文件：232.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNWidebandSiliconRFTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·LowNoise,HighBreakdownRFTransistor APPLICATIONS ·ApplicationsRequiringHighSupplyVoltagesAndHighBreakdownVoltages ·LowNoiseAmplifiersForISMApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BLP-550	文件：194.01 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BLP-550+	文件：194.01 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BPF-C550	文件：468.72 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BPF-C550+	文件：468.72 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BPR550F	文件：1.21301 Mbytes Page：2 Pages	3Wto50WPLANARSHOCK/VIBRATIONPROOFHIGHPOWERRESISTORS Features………………………………………………………… ◾Non-Inductiveplanarpackage ◾Highpowerdensity. ◾ThinpackageforhighdensityPCBinstallation. ◾Powerdissipatedabovetheboard. ◾RoHScompliant. ◾Superiorvibrationdurability Applications……………………………………………………… ◾Idealforextrememechanicallyst	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BPR550G	文件：1.21301 Mbytes Page：2 Pages	3Wto50WPLANARSHOCK/VIBRATIONPROOFHIGHPOWERRESISTORS Features………………………………………………………… ◾Non-Inductiveplanarpackage ◾Highpowerdensity. ◾ThinpackageforhighdensityPCBinstallation. ◾Powerdissipatedabovetheboard. ◾RoHScompliant. ◾Superiorvibrationdurability Applications……………………………………………………… ◾Idealforextrememechanicallyst	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BPR550J	文件：1.21301 Mbytes Page：2 Pages	3Wto50WPLANARSHOCK/VIBRATIONPROOFHIGHPOWERRESISTORS Features………………………………………………………… ◾Non-Inductiveplanarpackage ◾Highpowerdensity. ◾ThinpackageforhighdensityPCBinstallation. ◾Powerdissipatedabovetheboard. ◾RoHScompliant. ◾Superiorvibrationdurability Applications……………………………………………………… ◾Idealforextrememechanicallyst	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BRUS550	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi

产品属性

产品编号：
BC550CG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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