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BC548B	文件：1.10078 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC548B	文件：301.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC548B	文件：148.07 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC548B	文件：341.57 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC548B	文件：72.62 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.SeePN100Aforcharacteristics.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BC548B	文件：50.35 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingandApplicationsSwitchingandApplications Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548B	文件：151.77 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548B	文件：124.68 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC548B	文件：540.84 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONAMPLIFIERTRANSISTOR Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BC548B	文件：102.54 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC54680V BC54750V BC54830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
BC548_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC548_Q供应商更新时间2025-5-15 11:40:00

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