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548A	文件：1.24071 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
548B	文件：1.24071 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
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AD548	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AD548A	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548AH	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548AQ	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548B	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548BH	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548BR	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548BR-REEL	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548C	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AD548J	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548JCHIPS	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD548JN	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AD548JR-REEL	文件：198.06 Kbytes Page：8 Pages	Precision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD548isalowpower,precisionmonolithicoperationalamplifier.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(200µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascurrentisguarantee	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
BC548_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC548_Q供应商更新时间2024-5-23 17:40:00

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