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BC548A	文件：21.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC546,VCEO=65V •Low-Noise:BC549,BC550 •ComplementtoBC556,BC557,BC558,BC559,andBC560	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC548A	文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistors NPNSiliconTransistors	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC548A	文件：193.13 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC548A	文件：148.76 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgrade1) MechanicalData1) (1)Tapedinammopack4000(Raster2.54) (2)Onrequest:inbulk5000(Ra	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC548A	文件：1.9671 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC548A	文件：160.26 Kbytes Page：5 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTOR VOLTAGE30V/45V/65VPOWER625mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Complimentary(PNP)device:BC556,BC557,BC558Series •Pbfreeproduct:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC548A	文件：140.48 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC548A	文件：183.96 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC54680V BC54750V BC54830V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC548A	文件：1.10078 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC548A	文件：228.16 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
BC548_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC548_Q供应商更新时间2025-5-6 16:38:00

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