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FAIRCHILD/仙童TO-92

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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FAIRCHILDSEMTO-92-3

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FAIRCHILD/仙童SOT323

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FSC/ON原包装原封□□

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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CJ/长电TO-92

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N/A

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芯有半导体（深圳）有限公司

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PHI原厂原装

62

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onsemiTO-226-3 TO-92-3 标准主体(!-

9350

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深圳市斯普仑科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童N/A

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深圳市芯为科技有限公司

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FAIRCHILD全新原装

8960

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onsemi(安森美)TO-92-3

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FAIRCHILD/仙童

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BC550CTA

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BC550BA1价格

BC550BA1价格：￥0.0873品牌：Taiwan Semi

生产厂家品牌为Taiwan Semi的BC550BA1多少钱，想知道BC550BA1价格是多少？参考价：￥0.0873。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BC550BA1批发价格及采购报价，BC550BA1销售排行榜及行情走势，BC550BA1报价。

BC550CTA中文资料Alldatasheet PDF

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BC550功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC550_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC550_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC5500A-01制造商:Sony Nec Optiarc America 功能描述:2X 12.7MM DVDRW 8X4X8X4X / 2X -READ/BD COMDO - Bulk

BC550A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BC550A A1功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC550ABU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC550ATA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC550B功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC550B A1功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BC550

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    110 @ 2mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    300MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

  • 供应商器件封装：

    TO-92-3

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

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