| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-92-3 |
11528 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemi(安森美)TO-92-3 |
11580 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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1年
留言
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PHITO-92 |
5800 |
2021+ |
原装现货,欢迎来电咨询 |
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16年
留言
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FAIRCHILDSEMTO-92-3 |
3577 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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17年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
8960 |
24+ |
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6年
留言
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ON-安森美TO-92-3 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
54230 |
26+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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10年
留言
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仙童TO-92 |
3800 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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10年
留言
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FAIRCHILDQFN10 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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12年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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6年
留言
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PHI原厂正规渠道 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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2年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
15000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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13年
留言
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原厂 |
18000 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
12000 |
23+ |
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4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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8年
留言
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N/A |
76000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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1年
留言
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NATO92 |
1 |
26+ |
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5年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
66880 |
25+ |
原装正品,欢迎询价 |
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1年
留言
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PHITSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
BC549B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC549B图片
BC549BTF价格
BC549BTF价格:¥0.1455品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的BC549BTF多少钱,想知道BC549BTF价格是多少?参考价:¥0.1455。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BC549BTF批发价格及采购报价,BC549BTF销售排行榜及行情走势,BC549BTF报价。
BC549B中文资料Alldatasheet PDF
更多BC549B功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/45 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549B A1功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549B\E6功能描述:两极晶体管 - BJT REORD 512-BC549 HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549B_D11Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549B_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549B_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549B_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/45 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549BBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549BTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC549BTAR功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BC549B
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
300MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3

























