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BCP53-10	文件：1.12225 Mbytes Page：22 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCP53-10	文件：1.12225 Mbytes Page：22 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■High-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCP53-10	文件：817.94 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP53-10	文件：455.41 Kbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN) •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BCP53-10H	文件：1.27175 Mbytes Page：16 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-10H	文件：1.25919 Mbytes Page：16 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability High-temperatureapplicationsupto175C AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-10H	文件：1.27242 Mbytes Page：16 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■High-temperatureapplicat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-10H-Q	文件：275.29 Kbytes Page：14 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •High-temperatureapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-10T	文件：287.1 Kbytes Page：15 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP53-10T	文件：274 Kbytes Page：14 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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