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BCX53-10	文件：526.55 Kbytes Page：8 Pages	ForAFdriverandoutputstages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCX53-10	文件：146.11 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX54…BCX56(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCX53-10	文件：42.74 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.NPNcomplements:BCX54,BCX55andBCX56. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Mediumpowergeneralpurposes •Driverstagesofaudioamplifiers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCX53-10	文件：290.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BCX53-10	文件：700.52 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistor PNPPlastic-EncapsulateTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BCX53-10	文件：53.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPMediumPowerTransistors Features ●NPNComplementstoBCX54,BCX55,BCX56 ●LowVoltage ●HighCurrent	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BCX53-10-AK	文件：28.4 Kbytes Page：1 Pages	SOT89PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS SOT89PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYTYPE– BCX51–BCX54 BCX52–BCX55 BCX53–BCX56	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCX53-10-Q	文件：238.92 Kbytes Page：12 Pages	80V,1APNPmediumpowertransistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectrica	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX53-10T	文件：239.42 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNpowerbipolartransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX53-10T	文件：238.53 Kbytes Page：12 Pages	80V,1APNPpowerbipolartransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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