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BC486 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR Pnp Silicon Planar Epitaxial Transistors 文件：139.55 Kbytes 页数：1 Pages | MICRO-ELECTRONICS | MICRO-ELECTRONICS | |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES 文件：70.18 Kbytes 页数：2 Pages | CDI-DIODE | CDI-DIODE | ||
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES • GENERAL PURPOSE SILICON DIODES • ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE • COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES EXCEPT SOLDER REFLOW 文件：45.96 Kbytes 页数：2 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES • GENERAL PURPOSE SILICON DIODES • METALLURGICALLY BONDED MAXIMUM RATINGS Operating Temperature: -65°C to +175°C Storage Temperature: -65°C to +175°C Operating Current: 200 mA Derating: 1.2mA/°C from 25ºC to 150ºC 1.0mA/°C from 150ºC to 175ºC Forward Current: 65 文件：32.84 Kbytes 页数：2 Pages | CDI-DIODE | CDI-DIODE |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_TR_输出极 （E）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
45V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC327,BC727,3CK9D,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-31
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
0.625
详细参数
- 型号：
BC486
- 制造商：
MICRO-ELECTRONICS
- 制造商全称：
Micro Electronics
- 功能描述：
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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