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BC337-40ZL1G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices 文件：146.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40G	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：65.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40G	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors NPN SILICON 文件：70.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40RL1	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：65.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40RL1G	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：65.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40RL1G	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors NPN SILICON 文件：70.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
0.8
PC (W)：
0.625
HFE：
250-630
@IC (mA)：
300
@VCE (V)：
1.0
ICBO：
0.1 µA
IEBO：
0.1 µA
VCE(sat) (V)：
0.7
VBE(sat) (V)：
1.2
FT (MHz)：
210
Package Qty：
Bulk
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市龙瀚电子有限公司	BC337-40	FA1RCHILD	16+17+	TO-92	6349	代理渠道正品-现货库存16	询价
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