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BC337-40RL1G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices 文件：146.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40RL1G	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：65.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40RL1G	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors NPN SILICON 文件：70.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC337-40RL1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.8A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BC337-40RL1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
210MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 45V 0.8A TO92

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