| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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FA1RCHILDTO-92 |
6349 |
16+17+ |
代理渠道正品-现货库存16 |
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13年
留言
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ONTO-92 |
23510 |
23+ |
公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电 |
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7年
留言
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onsemiN/A |
12421 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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6年
留言
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PHITO-92 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
留言
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TO-92 |
92 |
17+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
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16年
留言
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STTO92 |
39500 |
24+ |
进口原装现货 支持实单价优 |
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8年
留言
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PHILNA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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8年
留言
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N/A |
61000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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6年
留言
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MOTTO-92 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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6年
留言
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HGF/恒光发TO-92 |
10018 |
23+ |
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5年
留言
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LGE(鲁光)TO-92 |
105000 |
2447 |
1000个/袋一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
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6年
留言
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HGF/恒光发TO-92 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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15年
留言
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恩XPTO92 |
16814 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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17年
留言
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CDILTO-92 |
10 |
24+ |
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3年
留言
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长电TO-92 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保证 |
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13年
留言
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PHILQFP |
3200 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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8年
留言
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FSCTO-92 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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8年
留言
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恩XPTO-92 |
4590 |
24+ |
原装正品 |
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6年
留言
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恩XPTO-252 |
10000 |
24+ |
公司现货库存,支持实单 |
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14年
留言
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PHITO92 |
21322 |
24+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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BC337-40-AP价格:¥0.3196品牌:Micro
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更多BC337-40功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40 A1功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40,116功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40,412功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40-AP功能描述:两极晶体管 - BJT NPN -0.8A 0.625W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40G制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon
BC337-40RL1功能描述:两极晶体管 - BJT 800mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40RL1G功能描述:两极晶体管 - BJT 800mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC337-40ZL1功能描述:两极晶体管 - BJT 800mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2






























