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ELM337	文件：27.62 Kbytes Page：4 Pages	LIGHTSWITCH Description TheELM337providesaconvenientmeanstointerfacestandardphotocellsorlightdependentresistors(LDRs)todigitallogiccircuits.Itprovidesaninputcomparatorwithhysteresis,linefrequencyfiltering,digitaldelays,andhighcurrentoutputdriversallwithintheone8pin	ELM ELM Electronics	ELM
ELM337P	文件：27.62 Kbytes Page：4 Pages	LIGHTSWITCH Description TheELM337providesaconvenientmeanstointerfacestandardphotocellsorlightdependentresistors(LDRs)todigitallogiccircuits.Itprovidesaninputcomparatorwithhysteresis,linefrequencyfiltering,digitaldelays,andhighcurrentoutputdriversallwithintheone8pin	ELM ELM Electronics	ELM
ELM337SM	文件：27.62 Kbytes Page：4 Pages	LIGHTSWITCH Description TheELM337providesaconvenientmeanstointerfacestandardphotocellsorlightdependentresistors(LDRs)todigitallogiccircuits.Itprovidesaninputcomparatorwithhysteresis,linefrequencyfiltering,digitaldelays,andhighcurrentoutputdriversallwithintheone8pin	ELM ELM Electronics	ELM
F337	文件：504.25 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F337F	文件：504.25 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F337R	文件：504.25 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FDN337	文件：419.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability. VDS(V)=30V D=2.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN337N	文件：270.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOTTM-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticular	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN337N	文件：2.33022 Mbytes Page：27 Pages	ContainsallsupportcircuitryneededfortheADS1146/ADS1246	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
FDN337N	文件：1.83652 Mbytes Page：34 Pages	ContainsallsupportcircuitryneededfortheADS1148/ADS1248	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
BC337,112
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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