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BC337A	文件：99.45 Kbytes Page：2 Pages	NPNMediumPowerTransistor •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto800mA. •Sourcedfromprocess38.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC337A	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsBestSuitedforuseinDriverandOutputStagesofAudioAmplifier	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC337-AP	文件：269.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.8A •Collector-baseVoltage:VCBO=50V(BC337),VCBO=30V(BC338) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginform	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC337G	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337G	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337M	文件：810.03 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC337-XBK	文件：95.06 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Specialpackagingbulk	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BD337	文件：427.98 Kbytes Page：9 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BC337,112
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC337,112供应商更新时间2025-7-19 10:09:00

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