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BC337,112	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
BC337A	文件：99.45 Kbytes Page：2 Pages	NPNMediumPowerTransistor •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto800mA. •Sourcedfromprocess38.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC337A	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsBestSuitedforuseinDriverandOutputStagesofAudioAmplifier	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC337-AP	文件：269.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.8A •Collector-baseVoltage:VCBO=50V(BC337),VCBO=30V(BC338) •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginform	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC337G	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337G	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon Features •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337M	文件：810.03 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC337-XBK	文件：95.06 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Specialpackagingbulk	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

产品属性

产品编号：
BC337,112
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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