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ELM337SM	文件：27.62 Kbytes Page：4 Pages	LIGHTSWITCH Description TheELM337providesaconvenientmeanstointerfacestandardphotocellsorlightdependentresistors(LDRs)todigitallogiccircuits.Itprovidesaninputcomparatorwithhysteresis,linefrequencyfiltering,digitaldelays,andhighcurrentoutputdriversallwithintheone8pin	ELM ELM Electronics	ELM
F337	文件：504.25 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F337F	文件：504.25 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F337R	文件：504.25 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FDN337	文件：419.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability. VDS(V)=30V D=2.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN337N	文件：270.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOTTM-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticular	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN337N	文件：2.33022 Mbytes Page：27 Pages	ContainsallsupportcircuitryneededfortheADS1146/ADS1246	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
FDN337N	文件：1.83652 Mbytes Page：34 Pages	ContainsallsupportcircuitryneededfortheADS1148/ADS1248	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
FDN337N	文件：419.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability. VDS(V)=30V D=2.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN337N	文件：343.24 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=30V ID=2.2A RDS(ON)=0.065Ω@VGS=4.5V RDS(ON)=0.082Ω@VGS=2.5V	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

晶体管资料

型号：
BC337(-16...-40)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC377,BC737,BC837,BC637,3DK4B,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.625

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC337(-16...-40)供应商更新时间2025-5-22 15:01:00

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