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BC327-40	文件：143.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNP Silicon AF Transistors ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 337, BC 338 (NPN) 文件：143.83 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC327-40A/B	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1. General purpose amplifier applications 2. PNP epitaxial silicon, planar design 3. Collector current IC= -800mA 文件：146.86 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC327-40-AP	文件：341.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. • Collector-current : -0.8A • Collector-base Voltage :VCBO=-50V(BC327) , VCBO=-30V(BC328) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • 文件：341.41 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BC327-40ASLASHB	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1. General purpose amplifier applications 2. PNP epitaxial silicon, planar design 3. Collector current IC= -800mA 文件：146.86 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC327-40B	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1. General purpose amplifier applications 2. PNP epitaxial silicon, planar design 3. Collector current IC= -800mA 文件：146.86 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC327-40-BP	文件：341.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. • Collector-current : -0.8A • Collector-base Voltage :VCBO=-50V(BC327) , VCBO=-30V(BC328) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • 文件：341.41 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BC32740BU	文件：230.79 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BC32740；Package：TO-923L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages • Complement to BC337 / BC338 文件：230.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC327-40T/R	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1. General purpose amplifier applications 2. PNP epitaxial silicon, planar design 3. Collector current IC= -800mA 文件：146.86 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC32740TA	文件：230.79 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BC32740；Package：TO-923L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages • Complement to BC337 / BC338 文件：230.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC327-40TSLASHR	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1. General purpose amplifier applications 2. PNP epitaxial silicon, planar design 3. Collector current IC= -800mA 文件：146.86 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

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晶体管资料

型号：
BC327(-16...-40)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC297,BC638,BC727,BC827,3CK10E,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
BC327
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
260MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 45V 0.8A TO92

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