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BC32725BU	文件：230.79 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BC32725；Package：TO-923L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages • Complement to BC337 / BC338 文件：230.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC327-25RL1G	文件：147.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：147.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC327-25T/R	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1. General purpose amplifier applications 2. PNP epitaxial silicon, planar design 3. Collector current IC= -800mA 文件：146.86 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC32725TA	文件：230.79 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BC32725；Package：TO-923L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • Switching and Amplifier Applications • Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages • Complement to BC337 / BC338 文件：230.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC327-25TSLASHR	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1. General purpose amplifier applications 2. PNP epitaxial silicon, planar design 3. Collector current IC= -800mA 文件：146.86 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC327-25ZL1G	文件：147.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：147.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC327-40	文件：147.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：147.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC327-40	文件：47.22 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C32740；Package：SOT-54；PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: BC337. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. driver and output stages of audio amplifiers. 文件：47.22 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC327-40	文件：341.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. • Collector-current : -0.8A • Collector-base Voltage :VCBO=-50V(BC327) , VCBO=-30V(BC328) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • 文件：341.41 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BC327-40	文件：143.32 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) Mechanical Data 1) (1) Taped in ammo pack 4000 (Raster 2.54) (2) On reque 文件：143.32 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC

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晶体管资料

型号：
BC327(-16...-40)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC297,BC638,BC727,BC827,3CK10E,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
BC327
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
260MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 45V 0.8A TO92

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