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BC327-40	文件：341.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current:-0.8A •Collector-baseVoltage:VCBO=-50V(BC327),VCBO=-30V(BC328) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC327-40	文件：47.22 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplement:BC337. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.driverandoutputstagesofaudioamplifiers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC327-40	文件：143.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNPSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC337,BC338(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC327-40	文件：143.32 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Features GeneralPurpose Threecurrentgaingroups ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) (1)Tapedinammopack4000 (Raster2.54) (2)Onreque	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC327-40	文件：147.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC327-40	文件：68.2 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC327-40	文件：390.01 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC327-40	文件：146.73 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose PNP Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC327-40	文件：53.1 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Multiple Transistors ??Quad Surface Mount (Case 751B-SO-16) ??NPN/PNP)	ALLIED Allied Components International	ALLIED
BC327-40	文件：423.83 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC327-40	文件：108.54 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC327-40	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC327-40A/B	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1.Generalpurposeamplifierapplications 2.PNPepitaxialsilicon,planardesign 3.CollectorcurrentIC=-800mA	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC327-40-AP	文件：341.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current:-0.8A •Collector-baseVoltage:VCBO=-50V(BC327),VCBO=-30V(BC328) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC327-40B	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1.Generalpurposeamplifierapplications 2.PNPepitaxialsilicon,planardesign 3.CollectorcurrentIC=-800mA	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC327-40-BP	文件：341.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof0.625WattsofPowerDissipation. •Collector-current:-0.8A •Collector-baseVoltage:VCBO=-50V(BC327),VCBO=-30V(BC328) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC327-40T/R	文件：146.86 Kbytes Page：3 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 1.Generalpurposeamplifierapplications 2.PNPepitaxialsilicon,planardesign 3.CollectorcurrentIC=-800mA	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC327-40ZL1	文件：147.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC327-40ZL1G	文件：147.6 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC327-40A3	文件：326.71 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC

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详细参数

型号：
BC327-40
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市德创芯微科技有限公司	BC327-40	N/A	04+	TO-92	160	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	BC327-40	PH	16+17+	TO-92	6347	代理渠道正品-现货库存14	询价
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