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BSS308PE	文件：645.35 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Features VDS(V)=-30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
BTS308	文件：161.99 Kbytes Page：13 Pages	SmartHighsidePowerSwitch(OverloadprotectionCurrentlimitationShortcircuitprotectionThermalshutdown) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Sh	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS308	文件：298.5 Kbytes Page：14 Pages	SmartHighsidePowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOStechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Shortcircu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BUZ308	文件：242.1 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ308	文件：65.63 Kbytes Page：2 Pages	Easydriverforcosteffectiveapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C308	文件：376.67 Kbytes Page：1 Pages	150WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux14TEx165mm 12TE:Uponrequest •Weight1kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C308	文件：8.35916 Mbytes Page：60 Pages	MAGNETICSFORRF,POWER,FILTERANDDATAAPPLICATIONS	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
C308F	文件：767.28 Kbytes Page：5 Pages	3mmx8.4mmfast-acting,ceramictubefusesforhazardousapplications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
CFS308	文件：713.82 Kbytes Page：1 Pages	BESTSUITEDFORPORTABLEWITHLOWCURRENTCONSUMPTION	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CFS-308	文件：139 Kbytes Page：2 Pages	Becauseoftheirexcellentshockresistance	CITIZENCITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. 西铁城电子株式会社	CITIZEN

详细参数

型号：
BC308TA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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