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BC309B

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Switching and Amplifier Applications • Low Noise: BC309

文件:69.33 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

BC309B

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

General Purpose Transistors Deisgned For Small Signal Amplification From DC To Low Radio Frequencies

文件:151.41 Kbytes 页数:5 Pages

CDIL

BC309B

Amplifier Transistors(PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

文件:110.68 Kbytes 页数:4 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

BC309B

Trans GP BJT PNP 25V 0.1A 3-Pin TO-92

NJS

NJS

BC309BBU

TRANS PNP 25V 0.1A TO-92

ONSEMI

安森美半导体

BC309BTA

TRANS PNP 25V 0.1A TO-92

ONSEMI

安森美半导体

BC309BBU

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 25V 0.1A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

BC309BTA

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 25V 0.1A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.3@0.5mA@10mAV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    25V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.1A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Power Dissipation:

    500mW

  • Maximum Transition Frequency:

    130(Typ)MHz

  • Type:

    PNP

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更多BC309B供应商 更新时间2026-1-17 15:01:00