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BSS308PE	文件：248.89 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??P3Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS308PE	文件：1.05107 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BSS308PE	文件：262.58 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS??P3Small-Signal-Transistor	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
BSS308PE	文件：176.24 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOSP3Small-Signal-Transistor	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSS308PE	文件：434.28 Kbytes Page：8 Pages	P-channe Features VDS(V)=-30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
BC308TA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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