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BD318	文件：109.96 Kbytes Page：3 Pages	16AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 16AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS(80-100VOLTS200WATTS) NPNBD315,BD316 PNPBD317,BD318	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD318	文件：110.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·HighDCcurrentgain ·Excellentsafeoperatingarea ·ComplementtotypeBD317 APPLICATIONS ·Designedforhighpoweramplifiers	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD318	文件：129.77 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·HighDCcurrentgain ·Excellentsafeoperatingarea ·ComplementtotypeBD317 APPLICATIONS ·Designedforhighpoweramplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD318	文件：111.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD318	文件：129.09 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BGA318	文件：20.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconBipolarMMIC-Amplifier(Cascadable50W-gainblock16dBtypicalgainat1.0GHz12dBmtypicalP-1dBat1.0GHz)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP318S	文件：76.26 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •LogicLevel •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP318S	文件：129.81 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •Avalancherated •VGS(th)=1.2...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP318S	文件：559.9 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP318S	文件：1.92805 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
BC318C_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 45V 150mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC318C_Q供应商更新时间2025-5-18 10:00:00

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