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BUJ303A	文件：68.69 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ303A	文件：588.1 Kbytes Page：14 Pages	NPNpowertransistorLowthermalresistanceFastswitching	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUJ303A	文件：190.94 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage •HighSpeedSwitching APPLICATIONS •Desinedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballast applications,converters,inverters,switchingregulators, motorcontrolsystems,etc.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUJ303A	文件：233.45 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUJ303A	文件：619.07 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription Highvoltage,highspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT78(TO-220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitchingandconductionlosses Applications •DC-t	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303AD	文件：298.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription Highvoltage,highspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(DPAK)surfacemountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Surfacemountablepackage •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitching	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303AX	文件：74.32 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ303AX	文件：606.76 Kbytes Page：14 Pages	NPNpowertransistorVeryhighvoltagecapabilityIsolatedpackage	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUJ303AX	文件：1.20297 Mbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT186A(TO220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Isolatedpackage •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitchingandconductionlosses Applications •	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303B	文件：54.91 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

晶体管资料

型号：
BC303(-4...-6)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
85V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2N4036,BC431,3DK4B,
最大耗散功率：
0.85W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
85
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.85

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