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BD237	文件：265.99 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：58.18 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD237	文件：261.41 Kbytes Page：9 Pages	NPNpowertransistors Description ThedevicesaremanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage.ThePNPtypesareBD236andBD238respectively. Features ■NPNtransistors Applications ■Audio,	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD237	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	80V,NPNTRANSISTORS DESCRIPTION TheUTCBD237isanNPNtransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,etc. FEATURES ComplementtoUTCBD238respectively Highcollector-emitterbreakdownvoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD237	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD237	文件：283.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •PowerDissipation:PCM=1.25W,Ta=25°C •CollectorCurrent:IC=2A •ComplementtoBD234/236/238respectively •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BD237	文件：138.24 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A •ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD237	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD237	文件：102.42 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

详细参数

型号：
BC237A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/22
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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