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BC237B	文件：112.19 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC237B	文件：51.11 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplements:BC307;BC307B. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC237B	文件：83.65 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors(NPNSilicon) AmplifierTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC237B	文件：45.68 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR SwitchingandAmplifierApplications •LowNoise:BC239	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC237B	文件：65.129 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC237B	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC237B	文件：455.68 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC237B	文件：359.21 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors TO-92 PlasticPackage ForLeadFreeParts,DevicePart#willbePrefixedwithT	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC237B	文件：157.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.35W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BC23750V BC238/23930V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC237BG	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BC237A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/22
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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