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BC237B	文件：83.65 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(NPN Silicon) AmplifierTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC237B	文件：51.11 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplements:BC307;BC307B. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC237B	文件：112.19 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC237B	文件：45.68 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SwitchingandAmplifierApplications •LowNoise:BC239	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC237B	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC237B	文件：455.68 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC237B	文件：359.21 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS AmplifierTransistors TO-92 PlasticPackage ForLeadFreeParts,DevicePart#willbePrefixedwithT	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC237B	文件：157.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.35W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BC23750V BC238/23930V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC237B	文件：65.129 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC237BG	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon AmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BC237B
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/46
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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