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BC212A	文件：138.89 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC212 series are silicon PNP transistors designed for low noise, high gain amplifier applications. 文件：138.89 Kbytes 页数：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BC212A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise	Central	Central
BC212A PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.2A TO92	CENTRAL	CENTRAL
BC212B	文件：107.44 Kbytes Page：4 Pages	Amlifier Transistors (PNP) Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：107.44 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC212B	文件：60.04 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：60.04 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC212B	文件：28.95 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. • Sourced from process 68. 文件：28.95 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

晶体管资料

型号：
BC212A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC256,BC266,BC566,3CG20B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β=400
图片代号：
A-23
vtest：
60
htest：
200000100
atest：
0.2
wtest：
0.3

技术参数

Case：
TO-92
Configuration/ Description：
PNP Low Noise
Polarity：
PNP
IC MAX：
200mA
PD MAX：
300mW
VCEO MAX：
50V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
250mV
@IC：
10mA
@IB：
0.5mA
Cob MAX：
6pF
fT MIN：
200MHz
NF MAX：
10dB

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